本校電資學院電子所Access IC Lab研究團隊屢創佳績，日前由實驗室指導教授吳安宇博士、博士後研究員鄭凱元、博士生趙之昊與碩士生王浩宇所組成團隊，以分析三維晶片內資料交換網路的熱流與傳輸資料間交互耦合為出發點，進行快速且有效的電腦模擬平臺研究與實作。其投稿論文以「Traffic-Thermal Mutual-Coupling Co-Simulation Platform for Three-Dimensional Network-on-Chip」為題目，甫獲選2010年International Symposium on VLSI Design, Automation & Test (VLSI-DAT) 最佳論文獎。
支援交通與溫度交互耦合模擬之三維晶片內網路系統模擬平臺
隨系統晶片(System-on-Chip, SoC)趨於複雜，晶片內的連線與資料交換逐漸成為影響效能與功耗的重要因素。晶片內網路(Network-on-Chip, NoC)和三維晶片(Three Dimensional IC, 3D IC)的直通矽晶穿孔(Through Silicon Via, TSV)技術分別被提出，以突破現有晶片內通訊的效能瓶頸。然而，三維晶片結構的散熱問題是一大挑戰；作為未來高效能晶片內通訊平台的三維晶片內網路，適用的散熱技術必須在設計初期便納入設計考量。
由於可取得的現有晶片內網路設計工具尚無支持熱模擬功能，因此電子所Access IC Lab研究團隊自行整合開發一模擬平臺，協助未來三維晶片內網路的研究。此模擬平臺支援網路流量與晶片溫度的交互影響模擬，供設計者快速開發溫度感知的三維晶片內網路設計，以及動態溫度管理機制的效果。為確保熱模擬的準確性，此模擬平臺亦經專業有限元素分析工具(CFD-RC)驗證其溫度誤差範圍在可接受範圍內。
VLSI-DAT最佳論文獎
VLSI-DAT是全球先進半導體技術學術會議之一，每年邀集半導體設計、設計自動化及測試等領域的國內外知名學者專家，針對全球半導體產業技術走向提出精闢分析、發表前瞻論文並提供技術的展望。2010年VLSI DAT研討會包含一場3D IC聯合議程、17場主題議程、4場深度短期課程，以及2009年最佳論文獎頒獎典禮，吸引全球各地半導體上中下游業者、研究與學術機構、及產業研究單位等近千人與會。
除了國內外的受邀講師外，2010年VLSI-DAT研討會，計有72篇來自美、日、法、新加坡、英國、德國、瑞士、荷蘭、比利時、中國大陸等精選論文於會中發表，這些今年獲選發表的論文，皆採公開徵求稿件，經由大會議程委員召開論文評選會議從159篇投稿論文中選出，與會之國內外學員對論文品質與報告表現皆給予高度肯定。本屆VLSI-DAT的最佳論文獎是從72篇發表論文，經過最佳論文評選小組以及現場與會者，針對現場簡報品質、技術內涵、論文撰寫品質等綜合考量下，經由評選委員的共同討論，評選出一篇最佳論文。此項研究成果不僅對VLSI設計技術有所貢獻，為未來3D IC研究領域往前邁進一步，亦再度肯定了臺大在IC設計領域的前瞻性與研究領導性！
目前研究團隊已利用此次在VLSI-DAT研討會所發表之模擬平臺，進一步設計用於三維晶片內網路系統之動態溫度管理機制，並將研究成果於2010年5月在晶片內網路研究領域盛事－ACM/IEEE International Symposium on Networks-on-Chip (NOCS)研討會中發表。