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臺大參與國科會建置APT 突破半導體元件解析侷限

更新日期:112年4月26日

圖1:臺大材料科學與工程學系教授顏鴻威簡報介紹原子針尖斷層影像儀。圖2:臺大材料科學與工程學系教授顏鴻威實際操作原子針尖斷層影像儀。圖3:臺大材料科學與工程學系教授顏鴻威實際操作原子針尖斷層影像儀。圖4:原子針尖斷層影像儀。圖5:臺大材料科學與工程學系教授顏鴻威觀察原子針尖斷層影像儀。

臺大材料科學與工程學系教授顏鴻威簡報介紹原子針尖斷層影像儀。

臺大材料科學與工程學系教授顏鴻威實際操作原子針尖斷層影像儀。

臺大材料科學與工程學系教授顏鴻威實際操作原子針尖斷層影像儀。

原子針尖斷層影像儀。

臺大材料科學與工程學系教授顏鴻威觀察原子針尖斷層影像儀。

次世代半導體元件持續性地演進,為提升元件積體密度必需將尺寸微縮化、材料異質化及結構立體化等,但也帶來材料分析技術的全新挑戰。

國科會推動「突破半導體物理極限與鏈結 AI 世代計畫」,規劃布局一種擁有高解析度、高偵測極限及三維度資訊的材料與元件分析技術,由國家實驗研究院台灣半導體研究中心(國研院半導體中心)、臺灣大學、清華大學及陽明交通大學共同建置「原子針尖斷層影像儀」(Atom Probe Tomography 以下簡稱 APT),希望藉此建立領域專家系統與研究服務平台,加速高階技術人才培育與半導體物理突破。

原子針尖斷層影像儀(APT)是一種極致前瞻的(state-of-art)材料分析技術,能夠解析材料或元件微觀區域的三維原子分佈,其空間解析度可達原子級,而其成分濃度偵測極限可達近 20 ppm,APT 已經被應用在材料、元件、地質、生物等物質的微觀分析。由於 APT 獨特地整合優異的空間解析度與成份偵測極限,使它成為次世代半導體元件研發之關鍵技術。此次 APT 建置代表台灣在半導體中材料分析技術上的一個躍進,也象徵在半導體元件持續的演進的同時,台灣能有相對應的技術來進行材料分析。

這座設立在國研院半導體中心的APT系統,是臺灣第一個公開的產學研合作研究平台,在國家的發展上,不僅對於半導體產業有所助益,更可擴展至多種前瞻應用材料,包含金屬鋼鐵材料、光電材料、能源材料等方向。此外,國內所建置的 APT 與國研院半導體中心的研究資源整合,是世界上少數專攻半導體材料的 APT 研究平台,臺灣大學將其整合穿透式電子顯微鏡 TEM 分析,以 APTEM(APT+TEM)分析技術提供元件與材料完整的微觀分析案。

臺大材料科學與工程學系教授顏鴻威表示,半導體元件發展趨勢是微縮化、材料異質化、立體化,因此在檢視上形成困難,必須要能看的到材料的顯微結構,了解其變化,才有辦法驗證或進行控制,使用APT是兼顧多項優點的最好選擇,有很好的設備做研究及分析。未來建立起APT服務平台,進行整體半導體包含製程、性能量測、結構分析等整合性研究,能提升多方人才的培養;包含臺大等各大學,也會集合相關貴重儀器,針對前瞻和困難的案例來做突破。

APT 系統不僅是未來半導體所需的關鍵材料分析技術,更將拓展前瞻材料發展的創新思維,同時也能成為材料科學人才培育的重點,次世代專業人才得以永續經營。

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